PECVD等离子增强化学气相沉积系统介绍

该款PECVD系统, 加热元件为含钼电阻丝（1200℃以下使用）

PECVD系统主要由供气系统、加热系统、射频电源、真空系统等组成；

1）加热系统为单温区结构，温区长度440mm

2）真空系统采用旋片泵，极限真空度5Pa，用户也可选择高真空（分子泵组）；

3）射频电源借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中；

4）供气系统为质量流量计混气路数4路相混合（主要根据客户工艺要求定制）；

PECVD是借助于光放电等方法产生等离子体，光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物

质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给

方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。

PECVD等离子增强化学气相沉积系统功能及特点

1、炉膛采用日本技术真空吸附成型的高纯氧化铝多晶纤维制成，保温效果好，耐用节能，硬度高、反射率高、温场均衡等特点。

2、加热元件采用含钼电阻丝，最高发热温度可达1200℃。

3、通过射频电源实现辉光放电等方法，产生等离子体。

4、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性。

5、炉管采用高纯石英管，高温下化学稳定性强，热膨胀系数极小，能承受骤冷骤热的温度；

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